泰克S540參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
S540 功能
- 在單次探頭觸摸中自動(dòng)在多達(dá) 48 個(gè)引腳上執(zhí)行所有晶片級(jí)參數(shù)測(cè)試，包括高電壓擊穿、電容和低電壓測(cè)量，而無需更改電纜或探頭卡基礎(chǔ)設(shè)施
- 在zui高達(dá) 3kV 的條件下執(zhí)行晶體管電容測(cè)量，如 Ciss、Coss 和 Crss，而無需手動(dòng)配置測(cè)試引腳
- 在高速、多引腳、全自動(dòng)測(cè)試環(huán)境中實(shí)現(xiàn)低電平測(cè)量性能
- 基于 Linux 的 Keithley 測(cè)試環(huán)境 (KTE) 系統(tǒng)軟件支持輕松進(jìn)行測(cè)試開發(fā)和快速執(zhí)行
- 非常適合于過程集成、過程控制監(jiān)控和生產(chǎn)芯片分類中的全自動(dòng)或半自動(dòng)應(yīng)用
- 通過zui大程度減少測(cè)試時(shí)間、測(cè)試設(shè)置時(shí)間和占地面積，降低擁有成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量性能
吉時(shí)利S540 是一種全自動(dòng)晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可以在一次 探頭接觸中執(zhí)行高達(dá)3kV 的所有高壓測(cè)試、低壓測(cè)試、低電 流測(cè)試和電容測(cè)試，大限度地提高生產(chǎn)效率，降低擁有成本。 該系統(tǒng)把吉時(shí)利行業(yè)領(lǐng)xian的測(cè)量儀器與低壓和高壓開關(guān)矩陣、 線纜、探頭卡適配器、探頭驅(qū)動(dòng)器和KTE 測(cè)試軟件安全無縫 地集成在一起。終結(jié)果，是可以量身定制12~48 針參數(shù)測(cè) 試系統(tǒng)，而不需要重新配置測(cè)試設(shè)置，在從高壓測(cè)試轉(zhuǎn)向低壓 測(cè)試時(shí)不用使用兩個(gè)單獨(dú)的測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)2 端子或3 端子晶體管電容測(cè)量，提供pA 級(jí)測(cè)量性能。
主要特點(diǎn):
- 在一次探頭接觸中，在多 48 針上自動(dòng)執(zhí)行所有晶圓級(jí)參 數(shù)測(cè)試，包括高壓擊穿、電容和低壓測(cè)量，而不需改變電 纜或探頭卡基礎(chǔ)設(shè)施
- 執(zhí)行晶體管電容測(cè)量，如 Ciss、Coss 和 Crss，高達(dá) 3 kV，而不需手動(dòng)重新配置測(cè)試針
- 在高速多針、全自動(dòng)測(cè)試環(huán)境中實(shí)現(xiàn)低電平測(cè)量性能
- 基于 Linux 的 KTE ( 吉時(shí)利測(cè)試環(huán)境 ) 系統(tǒng)軟件，簡便地開 發(fā)測(cè)試，快速執(zhí)行測(cè)試
- 特別適合工藝集成、工藝控制監(jiān)測(cè)和生產(chǎn)芯片分揀等全自動(dòng) 應(yīng)用或半自動(dòng)應(yīng)用
- 大限度地縮短測(cè)試時(shí)間及測(cè)試設(shè)置時(shí)間，減少占用空間， 降低擁有成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量性能
全面進(jìn)行高達(dá)3 kV 的一遍參數(shù)測(cè)試
S540 是為用于擁有各種產(chǎn)品組合的環(huán)境而優(yōu)化的，可以配置 為12 針、24 針、36 針或48 針系統(tǒng)。有兩種主要配置：基本 高壓配置有12 針，高電壓/ 低電流配置則有12 針高電壓和 36 針低電流。這兩種配置都支持多條SMU ( 源測(cè)量單元) 通道、 兩端子和三端子電容測(cè)量、差分電壓測(cè)量以及脈沖和頻率測(cè)量。 所有測(cè)試引腳都連接到一張?zhí)筋^卡上，因此可以在一個(gè)探頭接 觸中執(zhí)行所有測(cè)試，大限度地提高生產(chǎn)效率，大限度地降 低擁有成本。
12 針高壓S540 配置的方框圖
12 ~ 48 針高電壓/ 低電流S540 配置的方框圖
高達(dá)3 kV 的全自動(dòng)兩端子和三端子電容測(cè)量
除在全自動(dòng)生產(chǎn)應(yīng)用中執(zhí)行的典型2 端子電容測(cè)量外，S540 還可以執(zhí)行半自動(dòng)研發(fā)應(yīng)用和工藝集成應(yīng)用中常見的3 端子晶 體管電容測(cè)量。可以在高達(dá)3 kV 的偏置電壓及高達(dá)1 MHz 的 頻率上執(zhí)行測(cè)試。S540 自動(dòng)執(zhí)行這些3 端子測(cè)量，如Ciss、 Coss 和Crss，而不需手動(dòng)配置測(cè)試針。這可以更迅速地收集 更多的器件數(shù)據(jù)，加快測(cè)試速度，終加快產(chǎn)品開發(fā)周期。
由于普通電容儀表的內(nèi)置偏置電壓低于100 V，因此測(cè)量高壓 功率半導(dǎo)體的電容要求使用外部電壓源和Bias-T。與其他高 壓參數(shù)測(cè)量解決方案不同，S540 使用系統(tǒng)級(jí)開路- 短路- 負(fù) 載補(bǔ)償技術(shù)，確保Bias-T 不會(huì)在測(cè)量中注入錯(cuò)誤，并能夠在 全自動(dòng)生產(chǎn)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室質(zhì)量的電容測(cè)量。
S540 可以執(zhí)行全自動(dòng)實(shí)驗(yàn)室質(zhì)量的三端子電容測(cè)量
高速度、低電平測(cè)量性能
提供兩種不同的系統(tǒng)配置，能夠滿足不同的參數(shù)測(cè)試應(yīng)用環(huán)境。S530小電 流系統(tǒng)可配置2至8路源測(cè)量單元（SMU）通道，具有亞皮安級(jí)測(cè)量分辨率，并 為探針卡提供了全面的小電流保護(hù)，使其非常適合于亞微米MOS硅工藝的特性分析。S530高電壓系統(tǒng)可配置3至7路SMU通道，能夠源出高達(dá)1000V的電壓，可用于汽車電子和功率管理器件所需的各種擊穿和漏流測(cè)試。
隨著當(dāng)今功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)效率提高，器件泄漏電流和開點(diǎn)電阻 變得越來越低。S540 的低電流子系統(tǒng)基于吉時(shí)利經(jīng)過驗(yàn)證的 SMU 儀器技術(shù)，在高壓偏置上提供了pA 級(jí)電流測(cè)量功能， 可以測(cè)量各種低電流特點(diǎn)，如關(guān)閉狀態(tài)泄漏電流、柵極泄漏電 流、低于閾值的泄漏電流等等。選配的高分辨率數(shù)字萬用表 (DMM) 可以精確測(cè)量微歐級(jí)讀數(shù)，并在全自動(dòng)多針測(cè)試環(huán)境 中執(zhí)行其他差分和非差分低壓測(cè)量，如金屬片電阻、電氣臨界 維度、等等。
*的系統(tǒng)軟件
吉時(shí)利S540 系統(tǒng)擁有吉時(shí)利測(cè)試環(huán)境(KTE) v5.7 軟件，用于 測(cè)試開發(fā)和執(zhí)行。KTE v5.7 的系統(tǒng)級(jí)速度較KTE v5.5 多提 高了40%。KTE 裝在采用Linux 操作系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)工控PC 上，把吉時(shí)利數(shù)十年的參數(shù)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)融入到功能中。
KTE 軟件
可以簡便地編寫、轉(zhuǎn)換或重用測(cè)量例程和測(cè)試計(jì)劃，幫助您更快地啟動(dòng)和運(yùn) 行系統(tǒng)。S540 軟件包括所有關(guān)鍵系統(tǒng)軟件操作：
- 晶圓描述
- 測(cè)試宏程序開發(fā)
- 測(cè)試計(jì)劃開發(fā)
- 極限
- 晶圓級(jí)或組件級(jí)測(cè)試，支持自動(dòng)探頭控制
- 測(cè)試數(shù)據(jù)管理
- 用戶接入點(diǎn)
- 系統(tǒng)診斷
3 kV 探頭卡和探頭卡適配器(PCA) 解決方案
在多針全自動(dòng)生產(chǎn)測(cè)試應(yīng)用中進(jìn)行可靠的高壓測(cè)量帶來了許多 挑戰(zhàn)，包括環(huán)境、器件布線和探頭設(shè)計(jì)。吉時(shí)利為探測(cè)zui高 3k V 電壓、同時(shí)保持低電平測(cè)量性能提供了兩種優(yōu)質(zhì)解決方案： 吉時(shí)利9140 和Celadon 45E。此外，為簡化探頭卡安裝和拆卸， 我們作為出廠安裝選項(xiàng)提供了inTEST 頂部裝載探頭卡接口。
泰克S540參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
S540 技術(shù)數(shù)據(jù)
配置指南
| 主要特點(diǎn) | 數(shù)量 |
| 針數(shù) ( 全 force-sense Kelvin)： | |
| 高壓 ( zui高 3 kV，使用HV 矩陣 ) ( 包括 6 針 LC 矩陣直傳 ) | 12 |
| 低電流 ( zui高 200 V，使用 707B 和 7531 矩陣卡 ) | 0, 12, 24 或 36 |
| SMU 通道數(shù)量 | |
| 高壓 ( zui高 3 kV，使用 2657A) | 1或2 |
| 低壓 ( zui高 200 V，使用 2636B) ( 每條通道包括 HV 保護(hù)模塊 ) | 多 8 |
| 電容儀表 ( 使用 4210-CVU) | |
| 高壓 ( zui高 3 kV，包括 Bias-Ts) | 0或1 |
| 低壓 ( zui高 30 V，包括保護(hù)模塊 ) | 0或1 |
| 高分辨率 DMM ( 使用 7510) | 0或1 |
| 脈沖發(fā)生器 ( 使用 4220-PGU) | 0或1 |
| 示波器 (FMTR) | 0或1 |
| 工控 PC 控制器，采用 Linux 操作系統(tǒng) | 1 |
| KTE 系統(tǒng)軟件 | 1 |
| 37U 系統(tǒng)機(jī)柜，包括100~240 V、50/60 Hz 配電器(PDU)、應(yīng)急關(guān)閉(EMO) 開關(guān)、高壓互鎖裝置和監(jiān)示器 / 鍵盤臂 | 1 |
| 探頭卡適配器 | |
| 吉時(shí)利 9140 ( 多 48 針 - 12 針 HV, 36 針 LV) | |
| Celadon ( 多 42 針 – 12 針 HV, 30 針 LV) | |
| 客戶提供 | 選擇其中一個(gè) |
S540 是一種可以全面配置的系統(tǒng)，您可以選擇能夠滿足自己應(yīng)用要求的配置。
DC 電流/ 電壓測(cè)量
| 測(cè)量類型 | SMU 儀器 | 功率 | 范圍 |
| 高壓 | 吉時(shí)利 2657A | 180 W | 1 fA ~ 120 mA; 100 V ~ 3000 V |
| 低壓 | 吉時(shí)利 2636B | 20 W | 1 fA ~ 1.5 A; 1 V ~ 200 V |
電容測(cè)量 (2 端子和3 端子電容測(cè)量，包括Ciss、Coss、Crss)
| 測(cè)量類型 | 電容儀表 | DC 偏置電壓 | 頻率 | 范圍 |
| 高壓 | 吉時(shí)利 4210-CVU | 3000 V 1 | 10 kHz, 100 kHz, 1 MHz | 100 nF - 10 pF |
| 低壓 | 吉時(shí)利 4210-CVU | 40 V | 10 kHz, 100 kHz, 1 MHz | 100 nF - 10 pF |
1. 要求使用2657A SMU 和Bias-T
差分和低壓測(cè)量
| 儀器 | 范圍 |
| 吉時(shí)利7510 DMM | 10nV ~ 200V |
脈沖測(cè)量
| 儀器 | 幅度 | 脈寬 | 脈沖跳變 |
| 吉時(shí)利 4220-PGU | 100 mV ~ 40 V | 100 nS ~ 1 S | 50 nS ~ 200 S |
頻率測(cè)量
| 儀器 | 范圍 | 幅度 |
| FMTR | 10 kHz ~ 20 MHz | 10 mV ~ 1 V rms |
開關(guān)矩陣 - 多48 個(gè)測(cè)量引腳
| 引腳類型 | 大電壓 | 大針數(shù) | 儀器連接 |
| 高電壓 | 3000 V | 12 | 多 2 個(gè) HV SMUs、1 個(gè) HVCMTR 及從 LV 開關(guān)矩陣的 6 針直傳 |
| 低電流 | 200 V | 36 | 多 8 條 LV SMU 通道、1 個(gè) LVCMTR、DMM、脈沖、 頻率 ( 所有低壓引腳均包括過壓保護(hù) ) |
系統(tǒng)指標(biāo) – 適用于吉時(shí)利或Celadon PCA 端
工作溫度 23 5C
濕度 5%-60%
預(yù)熱 1 小時(shí)
積分時(shí)間 1 PLC
校準(zhǔn)周期 1 年
SMU ( 源測(cè)量單元) 技術(shù)數(shù)據(jù)
HV SMU ( 吉時(shí)利2657A) 工作范圍
LV SMU ( 吉時(shí)利2636B) 工作范圍
高壓SMU (2657A) 到高壓矩陣
| 測(cè)量 | 供電 | |||
| 電流范圍 | 分辨率 | 精度 | 分辨率 | 精度 |
| 120 mA | 10 A | 0.03% + 1.5 mA + 1.6 pA/V | 3 A | 0.03% + 36.0 A + 1.6 pA/V |
| 20 mA | 100 nA | 0.02% + 24.0 A + 1.6 pA/V | 300 nA | 0.03% + 12.0 A + 1.6 pA/V |
| 2 mA | 10 nA | 0.02% + 5.0 A + 1.6 pA/V | 30 nA | 0.03% + 1.2 A + 1.6 pA/V |
| 1 mA | 1 nA | 0.02% + 200.0 nA + 1.6 pA/V | 30 nA | 0.03% + 300.0 nA + 1.6 pA/V |
| 100 A | 100 pA | 0.02% + 25 .0 nA + 1.6 pA/V | 3 nA | 0.03% + 60.0 nA + 1.6 pA/V |
| 10 A | 10 pA | 0.03% + 1.5 nA + 1.6 pA/V | 300 pA | 0.03% + 5.0 nA + 1.6 pA/V |
| 1 A | 1 pA | 0.03% + 400.8 pA + 1.6 pA/V | 30 pA | 0.03% + 700.8 pA + 1.6 pA/V |
| 100 nA | 100 fA | 0.10% + 60.8pA + 1.7 pA/V | 3 pA | 0.10% + 60.8pA + 2.1 pA/V |
| 10 nA | 10 fA | 0.10% + 5.8 pA + 1.6 pA/V | 300 fA | 0.10% + 5.8 pA + 1.6 pA/V |
| 1nA | 1 fA | 0. 10% + 1.4 pA + 1.6 pA/V | 30 fA | 0.10% + 2.8 pA + 1.6 pA/V |
| 測(cè)量 | 供電 | |||
| 電壓范圍 | 分辨率 | 精度 | 分辨率 | 精度 |
| 3000 V | 1 mV | 0.03% + 600.5 mV + 0 V/A | 80 mV | 0.03% + 750.5mV + 0 V/A |
| 1500 V | 1 mV | 0.03% + 300.5 mV + 0 V/A | 40 mV | 0.03% + 375.5 mV + 0 V/A |
| 500 V | 100 V | 0.03% + 100.5 mV + 0 V/A | 10 mV | 0.03% + 125 .5 mV + 0 V/A |
| 200 V | 100 V | 0.03% + 50.5 mV + 0 V/A | 5 mV | 0.03% + 50.5 mV + 0 V/A |
低壓SMU (2636B) 到高壓矩陣
| 測(cè)量 | 供電 | |||
| 電流范圍 | 分辨率 | 精度 | 分辨率 | 精度 |
| 1.5 A | 10 A | 0.40 % + 3.5 mA + 1.6 pA/V | 50 A | 0.50% + 4. 0 mA + 1.6 pA/V |
| 1 A | 10 A | 0.05 % + 1.5 mA + 1.6 pA/V | 20 A | 0.06% + 1.8 mA + 1.6 pA/V |
| 100 mA | 1 A | 0.03 % + 0.02 mA + 1.6 pA/V | 2 A | 0.05% + 0.03 mA + 1.6 pA/V |
| 10 mA | 100 nA | 0.02 % + 2.5 A + 1.6 pA/V | 200 nA | 0.03% + 6.0 A + 1.6 pA/V |
| 1 mA | 10 nA | 0.02 % + 0.2 A + 1.6 pA/V | 20 nA | 0.03% + 0.3 A + 1.6 pA/V |
| 100 A | 1 nA | 0.02 % + 25.0 nA + 1.6 pA/V | 2 nA | 0.03% + 60.0 nA + 1.6 pA/V |
| 10 A | 100 pA | 0.02 % + 1.5 nA + 1.6 pA/V | 200 pA | 0.03% + 5.0 nA + 1.6 pA/V |
| 1 A | 10 pA | 0.03 % + 0.5 nA + 1.6 pA/V | 20 pA | 0.03% + 0.8 nA + 1.6 pA/V |
| 100 nA | 1 pA | 0.03 % + 101.7 pA + 1.6 pA/V | 2 pA | 0.03% + 101.7 pA + 1.6 pA/V |
| 10 nA | 100 fA | 0.06 % + 4.7 pA + 1.6 pA/V | 200 fA | 0.06% + 6.7 pA + 1.6 pA/V |
| 1 nA | 10 fA | 0.15 % + 1.9 pA + 1.6 pA/V | 20 fA | 0.15% + 3.7 pA + 1.6 pA/V |
| 測(cè)量 | 供電 | |||
| 電壓范圍 | 分辨率 | 精度 | 分辨率 | 精度 |
| 200 V | 1 mV | 0.02% + 50.3 mV + 0 V/A | 1 mV | 0.02% + 50.3 mV + 0 V/A |
| 20 V | 100 V | 0.02% + 5.3 mV + 0 V/A | 100 V | 0.02% + 5.3 mV + 0 V/A |
| 2 V | 10 V | 0.02% + 690.0 V + 0 V/A | 10 V | 0.02% + 940.0 V + 0 V/A |
| 200 mV | 1 V | 0.02% + 565.0 V + 0 V/A | 1 V | 0.02% + 715.0 V + 0 V/A |
低壓SMU (2636B) 到低電流矩陣
| 測(cè)量 | 供電 | |||
| 電壓范圍 | 分辨率 | 精度 | 分辨率 | 精度 |
| 1.5 A | 10 A | 0.05% + 3.5 mA + 1.3 pA/V | 50 A | 0.06% + 4.0 mA + 1.3 pA/V |
| 1 A | 10 A | 0.03% + 1.5 mA + 1.3 pA/V | 20 A | 0.05% + 1.8 mA + 1.3 pA/V |
| 100 mA | 1 A | 0.02% + 20.0 A + 1.3 pA/V | 2 A | 0.03% + 30.0 A + 1.3 pA/V |
| 10 mA | 100 nA | 0.02% + 2.5 A + 1.3 pA/V | 200 nA | 0.03% + 6.0 A + 1.3 pA/V |
| 1 mA | 10 nA | 0.02% + 200.0 nA + 1.3 pA/V | 20 nA | 0.03% + 300.0 nA + 1.3 pA/V |
| 100 A | 1 nA | 0.02% + 25.0 nA + 1.3 pA/V | 2 nA | 0.03% + 60.0 nA + 1.3 pA/V |
| 10 A | 100 pA | 0.03% + 1.5 nA + 1.3 pA/V | 200 pA | 0.03% + 5.0 nA + 1.3 pA/V |
| 1 A | 10 pA | 0.03% + 501. 1 pA + 1.3 pA/V | 20 pA | 0.03% + 801.1 pA + 1.3 pA/V |
| 100 nA | 1 pA | 0.06% + 101.1 pA + 1.3 pA/V | 2 pA | 0.06% + 101.1 pA + 1.3 pA/V |
| 10 nA | 100 fA | 0.15% + 4.1 pA + 1.3 pA/V | 200 fA | 0.15% + 6. 1 pA + 1.3 pA/V |
| 1 nA | 10 fA | 0.15% + 1.4 pA + 1.3 pA/V | 20 fA | 0.15% + 3. 1 pA + 1.3 pA/V |
| 100 pA | 1 fA | 0.15% + 1.3 pA + 1.3 pA/V | ||
| 測(cè)量 | 供電 | |||
| 電壓范圍 | 分辨率 | 精度 | 分辨率 | 精度 |
| 200 V | 1 mV | 0.02% + 50.2 mV + 0 V/A | 5 mV | 0.02% + 50.2 mV + 0 V/A |
| 20 V | 100 V | 0.02% + 5.2 mV + 0 V/A | 500 V | 0.02% + 5.2 mV + 0 V/A |
| 2 V | 10 V | 0.02% + 580.0 V + 0 V/A | 50 V | 0.02% + 830.0 V + 0 V/A |
| 200 mV | 1 V | 0.02% + 455.0 V + 0 V/A | 5 V | 0.02% + 605.0 V + 0 V/A |
CMTR ( 電容測(cè)量單元) 技術(shù)數(shù)據(jù)
HV CMTR 指標(biāo)
兩端子HVCV 測(cè)量( 通過HV 矩陣)。
| 電容 | 10 kHz | 100 kHz | 1 MHz |
| 10 pF | 10% | 2% | 1% |
| 100 pF | 2% | 0.5% | 1% |
| 1 nF | 0.5% | 0.5% | 4% |
| 10 nF | 0.5% | 0.5% | 5% |
三端子HVCV 測(cè)量( 通過HV 矩陣)
100 kHz
| 參數(shù) | 典型電容 | 精度 | 1 MHz |
| 輸入電容 | Ciss | 100 pF-10 nF | 典型值 5% |
| 輸出電容 | Coss | 20 pF-2 nF | 典型值 5% |
| 反向傳送電容 | Crss | 10 pF-2 nF | 典型值 5% |
1 MHz
| 參數(shù) | 典型電容 | 精度 | 1 MHz |
| 輸入電容 | Ciss | 100 pF-10 nF | 典型值 10% |
| 輸出電容 | Coss | 20 pF-2 nF | 典型值 10% |
| 反向傳送電容 | Crss | 10 pF-2nF | 典型值 10% ( 參見下 面的備注 1.3) |
備注
1. 測(cè)量Crss 要求保護(hù)電源。在生產(chǎn)系統(tǒng)中，在超過100 kHz 時(shí)保護(hù)效果有效。測(cè)量Ciss 和Coss 不要求保護(hù)。
2. 實(shí)際精度取決于Ciss/Coss/Crss 之比。
3. 由于上面的備注1 和備注2，這里只是參考數(shù)據(jù)。
DMM ( 數(shù)字萬用表) 技術(shù)數(shù)據(jù) - 吉時(shí)利Model 7510
| 范圍 | 分辨率 | 一年精度 |
| 100 mV | 10 nV | 18 ppm rdg + 9 ppm rng |
| 1 V | 100 nV | 15 ppm rdg + 2 ppm rng |
| 10 V | 10 V | 14 ppm rdg + 1.2 ppm rng |
| 200 V | 100 V | 22 ppm rdg + 5 ppm rng |
通用指標(biāo)和軟件
機(jī)柜尺寸 60.0 cm 寬 x 91.5 cm 深 x 190.5 cm 高
工頻功率 100 V, 115 V, 220 V, 240 V (50 Hz, 60 Hz)
軟件 KTE 5.7，包括晶圓描述、測(cè)試宏程序開發(fā)、測(cè)試計(jì)劃開發(fā)、極限設(shè)置、測(cè)試 數(shù)據(jù)管理、用戶接入點(diǎn)和系統(tǒng)診斷
支持的探頭 CascadeTesla, TEL P8XL, Accretech UF3000
探頭卡 吉時(shí)利, Celadon
EMC 滿足歐盟EMC 指令
安全 滿足歐盟低壓指令
認(rèn)證 SEMI S2, S8 和S14
保修 一年
支持服務(wù) 探頭站集成、校準(zhǔn)、維修、測(cè)試計(jì)劃遷移和相關(guān)分析等協(xié)議
注：所有技術(shù)數(shù)據(jù)如有變更，恕不另行通告。
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