日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀

測量規格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣品硅基外延離子注入樣品
• 其他（請與我們聯系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

測量規格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣品硅基外延離子注入樣品
• 其他（請與我們聯系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

測量規格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣品硅基外延離子注入樣品
• 其他（請與我們聯系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

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