日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置
測量規格
測量目標
- 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
- 擴散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導體有關的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
- 其他（請與我們聯系）
測量尺寸
大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）
測量規格
測量目標
- 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
- 擴散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導體有關的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
- 其他（請與我們聯系）
測量尺寸
大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）
映射圖像
![半自動類型<br />（多點測量系統[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/2D%E8%A7%92%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B02.jpg)
![半自動類型<br />（多點測量系統[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/3D%E8%A7%92%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B02-640x561.jpg)
日本napson平板電阻薄層電阻測量半自動裝置
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