NE555DR NE555 SOP8貼片 雙時基電路芯片 全新現貨
MMBT5401LT1,3 | |
| 文檔 | Copper Wire 19/May/2010 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 產品更改通知 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 標準包裝 | 10 |
| 晶體管類型 | PNP |
| - 集電極電流（Ic）（） | 100mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（） | 150V |
| Vce飽和（）@ IB，IC | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 電流 - 集電極截止（） | 50nA |
| 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 60 @ 10mA, 5V |
| 功率 - | 225mW |
| 頻率轉換 | 300MHz |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應商器件封裝 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包裝材料 | Cut Tape (CT) |
| 集電極直流電流 | |
| 最小直流電流增益 | 50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V |
| 工作溫度 | 150 |
| 標準包裝名稱 | SOT-23 |
| 工作溫度 | -55 |
| 功率耗散 | 300 |
| 基地發射極電壓 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 300 |
| 封裝 | Tape and Reel |
| 每個芯片的元件數 | 1 |
| 集電極基極電壓 | 160 |
| 供應商封裝形式 | SOT-23 |
| 集電極發射極電壓 | 150 |
| 類型 | PNP |
| 引腳數 | 3 |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| 電流 - 集電極（ Ic）（） | 100mA |
| 晶體管類型 | PNP |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 頻率 - 轉換 | 300MHz |
| 下的Vce飽和度（） Ib，Ic條件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 電流 - 集電極截止（） | 50nA |
| 標準包裝 | 10 |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（） | 150V |
| 供應商設備封裝 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - | 225mW |
| 封裝/外殼 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時 | 60 @ 10mA, 5V |
| 其他名稱 | MMBT5401LT1OSCT |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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