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本公司專業代理：光耦（光電耦合器）、場效應管MOSFET、集成電路、IC芯片、二三極管、MCU單片機、電阻、電容、電感等電子元器件，是TOSHIBA東芝代理商、ST代理商、ROHM代理商、MURATA代理商。歡迎廣大的客戶產品信息，我們承諾只做原裝。

東芝提供具有各種電路結構和封裝的低VDSS和中/高VDSS MOSFET廣泛產品組合，可實現高速、高性能、低損耗、低導通電阻、小型封裝等特點。

東芝擁有數十年的MOSFET開發和生產經驗。其主要產品包括VDSS為600V左右的中至高壓COOLMOS系列，以及VDSS為12V至250V的低壓U-MOS系列。

隨著智能手機，平板電腦和日益成熟，功能豐富等移動設備，它們的電池驅動電路變得更加靈活和密集。因此，MOSFET的小形式因子，低導通電阻，高電流額定值，低電容和高允許功率耗散是必需的。為了滿足這些需求，東芝開發新的工藝和封裝技術，實現MOSFET的理想的高性能電源應用。

東芝公司提供廣泛的低VDSS和投資組合中/高VDSS MOSFET的各種電路配置和包裝，具有高速，高性能，低損耗，低導通電阻，小包裝等，東芝擁有數十年的經驗，在開發和制造的MOSFET。其主要產品有中到高壓DTMOSIV系列具有600 V左右VDSS和低電壓U-MOSVIII-H系列具有30 V至250 V的VDSS

東芝功率MOSFET使用雙擴散MOS（D-MOS）結構，可提供高耐壓，以形成通道。這種結構是特別適合于高耐壓和大電流的設備。高集成水平產生了高性能功率MOSFET具有低導通電阻和低功耗。

?U型的MOS高等信道密度是通過連接通道垂直，以形成一個U形槽在柵極區域中，能產生一個較低的導通電阻比其他的MOSFET結構的結構來實現的。溝槽結構主要用于相對低VDSS的MOSFET。

?DTMOS超級結結構，其具有P型柱層如左側所示，實現了高耐壓和導通電阻比硅的常規理論極限低。

雙擴散結構 溝槽結構 超結結構

TOSHIBA的MOSFET滿足應用廣泛的需求。

開關電源應用的高速系列

高效MOSFET系列AC-DC和DC-DC電源，制造采用了的根8溝槽柵工藝

低VDSS MOSFET的VDSS = 12 V至250 V

MED-高VDSS MOSFET的VDSS = 200 V至900V，

汽車MOSFET

對開關電源的應用高速系列

超級結DTMOS系列實現了低導通電阻和低柵極電荷（Qg），由于采用了的超結結構。功能和產品系列 產品選擇指南 產品陣容

超級結DTMOS系列

加入到/ -MOS組合，/ -MOSVII系列提供了降低電容，由于優化的芯片設計，并提供了極大的更廣泛的電氣特性。

汽車級MOSFET具有低導通電阻，低電容，大電流和高品質，并幫助提高性能，降低汽車應用的功耗。

低導通電阻系列負載開關和電池保護應用

東芝公司提供的U-MOSVIII-H等系列采用了VDSS為12 V至250 V.這些MOSFET系列產品結合*的溝槽柵工藝和封裝技術，提供低導通電阻和高速切換。我們的產品組合包括MOSFET的適合于各種應用小包裝門類齊全。 Q＆MOSFET陣容

智能手機/平板電腦

應用實施例為移動設備隨著電池容量的移動設備的增加，充電電流也增加。為了滿足高電流需求，東芝提供小包裝具有低功耗的MOSFET。這些MOSFET適用于大電流充電電路開關應用。