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東芝已開發出第4代超級結600V DTMOSⅣ MOSFET系列產品。通過采用的單層外延工藝，DTMOSⅣ減少了30%的Ron?A，這是MOSFET相較于其前一代產品DTMOSⅢ所具有的一個數字化的優點（FOM）。對于Ron?A的降低，實現了在相同封裝中安裝較低Ron芯片的可能。這也有助于提升效率和減小電源的尺寸大小。東芝提供專為導通電阻的MOSFET優化，其表現出較低的導通電阻比那些用于通用的開關電源的應用程序在相同的一代。

特點

1. Ron?A減小了30%，這是MOSFET相較于其前一代產品（DTMOSⅢ）的一個數字化優點。

2. 因為采用了獨立單層外延工藝，所以在高溫時導通電阻增加較少。

3. 因為減小了Coss，所以相較于前一代產品（DTMOSⅢ），可以降低12%的開關損耗、Eoss。

4. 可用的導通電阻范圍廣泛，RDS（ON） ：Ω–Ω值

5. 多種封裝選擇

插針式：TO-220，TO-220SIS，IPAK，I2PAK，TO-3P（N），TO-3P（L），TO-247

表面貼裝型：DPAK，D2PAK

應用

通信設備電源

UPS

服務器