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TOSHIBA場效應(yīng)管MOS管2SK208

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:2SK208
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他場效應(yīng)管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-03-21 10:41:31
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:939條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2014-04-19
  • 最近登錄:2023-03-21
  • 聯(lián)系人:許先生
  • 電    話:13376238060
產(chǎn)品簡介

本公司專業(yè)代理:光耦(光電耦合器)、場效應(yīng)管MOSFET、集成電路、IC芯片、二三極管、MCU單片機、電阻、電容、電感等電子元器件,是TOSHIBA東芝代理商、ST代理商、ROHM代理商、MURATA代理商

詳情介紹

本公司專業(yè)代理:光耦(光電耦合器)、場效應(yīng)管MOSFET、集成電路、IC芯片、二三極管、MCU單片機、電阻、電容、電感等電子元器件,是TOSHIBA東芝代理商、ST代理商、ROHM代理商、MURATA代理商。歡迎廣大的客戶產(chǎn)品信息,我們承諾只做原裝。

東芝已開發(fā)出第4代超級結(jié)600V DTMOSⅣ MOSFET系列產(chǎn)品。通過采用的單層外延工藝,DTMOSⅣ減少了30%的Ron?A,這是MOSFET相較于其前一代產(chǎn)品DTMOSⅢ所具有的一個數(shù)字化的優(yōu)點(FOM)。對于Ron?A的降低,實現(xiàn)了在相同封裝中安裝較低Ron芯片的可能。這也有助于提升效率和減小電源的尺寸大小。東芝提供專為導(dǎo)通電阻的MOSFET優(yōu)化,其表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻比那些用于通用的開關(guān)電源的應(yīng)用程序在相同的一代。

特點

1. Ron?A減小了30%,這是MOSFET相較于其前一代產(chǎn)品(DTMOSⅢ)的一個數(shù)字化優(yōu)點。

2. 因為采用了獨立單層外延工藝,所以在高溫時導(dǎo)通電阻增加較少。

3. 因為減小了Coss,所以相較于前一代產(chǎn)品(DTMOSⅢ),可以降低12%的開關(guān)損耗、Eoss。

4. 可用的導(dǎo)通電阻范圍廣泛,RDS(ON) :Ω–Ω值

5. 多種封裝選擇

插針式:TO-220,TO-220SIS,IPAK,I2PAK,TO-3P(N),TO-3P(L),TO-247

表面貼裝型:DPAK,D2PAK

應(yīng)用

通信設(shè)備電源

UPS

服務(wù)器

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