霍爾測試儀JH60
產品簡介：
霍爾效應系統組成：本儀器系統由永磁體、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高精度高斯計和系統軟件組成。為本儀器系統專門研制的 JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrieroncentration)、
表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。
霍爾測試儀JH60
可測試材料:
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
霍爾測試儀JH60
技術指標：
磁 場：大于 5000 高斯（間距 18mm)
樣品電流：±50 納安~±50 毫安（小可調節電流為 0.1nA）
測量電壓：0.1 微伏~30 伏
提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）
小分辨率： 1GS
磁場范圍： 0.5T
配合高斯計或數采板可計算機通訊
I-V 曲線及 I-R 曲線測量等
電阻率范圍：10-7~1011 Ohmcm
電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms
載流子濃度：103~1022cm-3
遷移率：0.1~108 cm2/voltsec
溫區：常溫
測試全自動化，一鍵處理
專業的歐姆接觸組合套件
JH60 測試時，只需要輸入三個關鍵參數即可進行測量，磁場的轉換為手動轉換，需要轉換磁場方向時程序會彈出信息框，根據測試程序的提示完成相應的操作即可獲得樣品需要的參數。
測量時只需要設置好樣片通過的電流、樣片所在磁場環境的磁場大小、樣品厚度即可進行測量，數據可以繪圖，可以導出至 EXCEL 中以便后期處理及使用。
霍爾測試儀H-60
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