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深圳市宇博晟電子科技有限公司

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IRFR3607TRPBF 場效應(yīng)管 INFINEON MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：IRFR3607TRPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-04-05 11:33:44
  • 瀏覽次數(shù)：7
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1072條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2018-08-08
  • 最近登錄：2023-03-31
  • 聯(lián)系人：林栩生
  • 電    話：13691746868
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON型號：IRFR3607TRPBF封裝：TO252批次：21+數(shù)量：7500制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：75VId-連續(xù)漏極電流：80ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：7

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON
型號：IRFR3607TRPBF
封裝：TO252
批次：21+
數(shù)量：7500
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：75 V
Id-連續(xù)漏極電流：80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
Qg-柵極電荷：56 nC
Pd-功率耗散：140 W
配置：Single
高度： mm
長度： mm
晶體管類型：1 N-Channel
寬度： mm
零件號別名：SP001567010
單位重量：4 g
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