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深圳市宇博晟電子科技有限公司

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IRF530NSTRLPBF 場(chǎng)效應(yīng)管 INFINEON MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRF530NSTRLPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-04-05 11:57:33
  • 瀏覽次數(shù)：3
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1072條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2018-08-08
  • 最近登錄：2023-03-31
  • 聯(lián)系人：林栩生
  • 電    話：13691746868
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON
型號(hào)：IRF530NSTRLPBF
封裝：TO263
批次：21+
數(shù)量：7500
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-3
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)漏極電流：17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：90 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V
Qg-柵極電荷：37 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散： W
通道模式：Enhancement
配置：Single
高度： mm
長(zhǎng)度： mm
晶體管類型：1 N-Channel
寬度： mm
商標(biāo)：Infineon / IR
正向跨導(dǎo) - 最小值：12 S
下降時(shí)間：25 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：22 ns
工廠包裝數(shù)量：800
子類別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns
典型接通延遲時(shí)間： ns
單位重量：4 g
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