技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | VISHAY |
| 型號(hào): | SI4936CDY-T1-GE3 |
| 批號(hào): | SOP |
| 封裝: | 1716+ |
| 數(shù)量: | 2500 |
| QQ: | |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC |
| 對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況: | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級(jí) (MSL): | 1(無限) |
| 原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期: | 14 周 |
| 詳細(xì)描述: | MOSFET-陣列-2-N-通道(雙)-30V---表面貼裝型-8-SO |
| 數(shù)據(jù)列表: | SI4936CDY; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 2,500 |
| 包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài): | 有源 |
| 類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族: | 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列 |
| 系列: | TrenchFET® |
| 其它名稱: | SI4936CDY-T1-GE3-ND |
| FET 類型: | 2 N-通道(雙) |
| FET 功能: | 邏輯電平門 |
| 漏源電壓(Vdss): | 30V |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值): | 40 毫歐 @ 5A,10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值): | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值): | 9nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值): | 325pF @ 15V |
| 功率 - 值: | |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安裝類型: | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC(", 寬) |
| 供應(yīng)商器件封裝: | 8-SO |














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