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當(dāng)前位置：深圳前海硬之城信息技術(shù)有限公司>>集成電路>>其他集成電路>> FQD10N20CTMFQD10N20CTM
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：FQD10N20CTM
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-04-20 08:36:51
  • 瀏覽次數(shù)：12
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：940條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2016-01-26
  • 最近登錄：2023-04-19
  • 聯(lián)系人：陳先生
  • 電    話：13116268589
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON(安森美)型號：FQD10N20CTM批號：封裝：數(shù)量：2500QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續(xù)漏極電流：7

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON(安森美)
型號：FQD10N20CTM
批號：
封裝：
數(shù)量：2500
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：200 V
Id-連續(xù)漏極電流： A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：360 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：30 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：50 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度： mm
長度： mm
系列：FQD10N20C
晶體管類型：1 N-Channel
寬度： mm
下降時間：72 ns
上升時間：92 ns
典型關(guān)閉延遲時間：70 ns
典型接通延遲時間：11 ns
零件號別名：FQD10N20CTM_NL
單位重量： mg
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