技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | MJ11032G |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 達林頓晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Single |
| 晶體管極性： | NPN |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 120 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO： | 5 V |
| 集電極—基極電壓 VCBO： | 120 V |
| 直流電集電極電流： | 50 A |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-204-2 (TO-3) |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | MJ11032 |
| 直流電流增益 hFE 值： | 18000 |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 寬度： | mm |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 集電極連續電流： | 50 A |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 1000 |
| 產品類型： | Darlington Transistors |
| 工廠包裝數量： | 100 |
| 子類別： | Transistors |
| 單位重量： | g |
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