技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ST |
| 型號： | STP25NM60ND |
| 數(shù)量： | 20000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 21 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 160 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 25 V, + 25 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 160 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | STB25NM60N |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 商標： | STMicroelectronics |
| 下降時間： | 40 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 30 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 1000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 50 ns |
| 典型接通延遲時間： | 60 ns |
| 單位重量： | 2 g |
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