技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | FF50R12RT4 |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | IGBT 模塊 |
| RoHS： | 是 |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 50 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | 100 nA |
| Pd-功率耗散： | 285 W |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | Chassis Mount |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 零件號別名： | FF50R12RT4HOSA1 SP000624912 FF50R12RT4HOSA1 |
| 單位重量： | 160 g |
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