技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | INFINEON |
| 型號(hào): | IPU60R1K0CE |
| 批號(hào): | 19+ |
| 封裝: | TO-251 |
| 數(shù)量: | 12000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| 安裝風(fēng)格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | TO-251-3 |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
| 高度: | mm |
| 長(zhǎng)度: | mm |
| 寬度: | mm |
深圳市維普芯科技有限公司
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| 參 考 價(jià): | 面議 |
技術(shù)參數(shù)品牌:INFINEON型號(hào):IPU60R1K0CE批號(hào):19+封裝:TO-251數(shù)量:12000QQ:制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFET安裝風(fēng)格:ThroughHole封裝/箱體:TO-251-3Vds-漏源極擊穿電壓:600V高度:6
| 品牌: | INFINEON |
| 型號(hào): | IPU60R1K0CE |
| 批號(hào): | 19+ |
| 封裝: | TO-251 |
| 數(shù)量: | 12000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| 安裝風(fēng)格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | TO-251-3 |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
| 高度: | mm |
| 長(zhǎng)度: | mm |
| 寬度: | mm |
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