產品簡介
技術參數品牌：INFINEON型號：IPSH4N03LAG批號：19+封裝：TO251-3數量：12000QQ：制造商：Infineon產品種類：MOSFET安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-251-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：25VId-連續漏極電流：90ARdsOn-漏源導通電阻：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IPSH4N03LAG |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | TO251-3 |
| 數量： | 12000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-251-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 25 V |
| Id-連續漏極電流： | 90 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 94 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | ns |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 上升時間： | 7 ns |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 典型關閉延遲時間： | 29 ns |
| 典型接通延遲時間： | 9 ns |
| 寬度： | mm |
| 單位重量： | 340 mg |
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