技術參數(shù)
| 品牌： | Vishay |
| 型號： | SI7120ADN-T1-GE3 |
| 封裝： | QFN |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 3000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-1212-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 21 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 30 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | SI7 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 35 S |
| 下降時間： | 12 ns |
| 上升時間： | 12 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 50 ns |
| 典型接通延遲時間： | 14 ns |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關。