技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | IPG20N06S4L-26A |
| 封裝： | TDSON-8 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PG-TDSON-8 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 20 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 26 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 33 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 1 mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 下降時間： | 10 ns |
| 上升時間： | ns |
| 典型關閉延遲時間： | 18 ns |
| 典型接通延遲時間： | 5 ns |
| 零件號別名： | IPG20N06S4L26AATMA1 SP001023848 IPG20N06S4L26AATMA1 |
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