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當(dāng)前位置：成都宏芯微科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> TGF2929-FLTGF2929-FL 13所 METDA NEDI NEDITEK芯片代理 55所芯片代理 Discrete Power GaN on SiC HEMT Transistor RF FET 放大...

TGF2929-FL 13所 METDA NEDI NEDITEK芯片代理 55所芯片代理 Discrete Power GaN on SiC HEMT Transistor RF FET 放大...

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：TGF2929-FL
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-07 08:39:12
  • 瀏覽次數(shù)：5
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：994條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-06
  • 最近登錄：2023-06-06
  • 聯(lián)系人：余洪
  • 電    話：13348852772
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：Qorvo型號：TGF2929-FL批號：18+封裝：SMD數(shù)量：2000QQ：制造商：Qorvo產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術(shù)：GaNSiCId-連續(xù)漏極電流：12AVds-漏源極擊穿電壓：28V增益：14dB輸出功率：107W封裝：Tray工作頻率：3

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：Qorvo
型號：TGF2929-FL
批號：18+
封裝：SMD
數(shù)量：2000
QQ：
制造商：Qorvo
產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
晶體管極性：N-Channel
技術(shù)：GaN SiC
Id-連續(xù)漏極電流：12 A
Vds-漏源極擊穿電壓：28 V
增益：14 dB
輸出功率：107 W
封裝：Tray
工作頻率： GHz
類型：RF Power MOSFET
商標(biāo)：Qorvo
濕度敏感性：Yes
Pd-功率耗散：144 W
產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：25
子類別：MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓：145 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：- V
零件號別名：1123811
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