以色列DUMA公司近期研制出一款風冷采樣器，通過壓縮空氣降溫的原理來實現冷卻。該采樣器可以提供1.1×10-5的采樣效率，相比于衰減片（ND）而言，效率更高，且適用于多種場合。該采樣器可以與現有光束質量分析儀相匹配，出廠即完成裝配，可以滿足用戶對于高功率激光的檢測，對于連續激光，可承受4KW的功率。
我司為用戶提供兩種系列光束質量分析儀，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于檢測工作面上的聚焦激光，其檢測原理為刀口式測量原理，僅可檢測連續激光（CW），M2-Beam的普通型號同樣采取刀口式測量原理。當然，為了滿足用戶對于脈沖激光（Pulsed）的檢測需求，我們也提供CMOS傳感器版本（-U3型號）。
以上機型均可安裝風冷采樣器，SAM-HP-M。需要注意的是，在測量大功率激光時，連續曝光時間不能超過5s。并且高功率機型出廠后，風冷采樣器處于已裝配狀態，原則上講我們不提倡用戶將其拆卸，因為其中涉及到接收對準和安裝工藝問題，這會導致拆卸后無法安裝的問題存在，基于更小的靈敏度，儀器哪怕裝載了風冷采樣器，對于小功率激光仍具備一定的探測能力。
大功率光束分析儀的核心部件——風冷采樣器規格參數：
型號 | SAM3-HP |
光譜范圍 | 250-2000nm |
采樣系數 | 1.1×10-5 |
外型尺寸 | 40 mm dia. × 31 mm length |
通光孔徑 | 8× 8 mm |
從輸入到采樣表面的小光路 | 25mm（視具體型號而定） |
LAM大功率激光光束質量分析儀產品規格參數：
LAM-BA | LAM-U3 | |
傳感器類型 | 硅基，使用刀口法測量技術 | CMOS |
刀口數 | 7 | - |
光譜范圍： | 硅：350-1100nm | 350-1310nm |
功率范圍@900/1070 nm | 4KW（需要衰減片和高壓空氣風冷，可能會有一些限制） | 連續激光1-2500W，脈沖激光1-1000W |
光斑尺寸范圍 | 35微米至8毫米 | 75微米-6毫米 |
分辨率（H × V像素） | 根據光束大小自適應 | 1920×1200 |
傳感器有效尺寸 | 9× 9 | 11.34× 7.13 |
工作距離 | 49mm | 從輸入表面到傳感器的光學距離為40.7±0.2毫米 |
BPP | 輸入角度-25deg | 輸入角度-25deg |
功率密度 | 1,000,000 W/cm2 | 1,000,000 W/cm2 |
光束寬度精度 | ± 1.5 ％ | ± 1.5 ％ |
功率精度 | ± 5 ％ | ± 5 ％ |
工作溫度 | 0℃-35℃ | 0℃-35℃ |
M2-Beam大功率光束分析儀產品規格：
-輸入光束
M2Beam | M2Beam U3 | |
技術工藝 | 刀口式掃描原理，應用Si探測器，InGaAs探測器和增強型InGaAs探測器 | USB 3.0接口 CMOS 2.4MP 內置過濾論 |
光譜響應（nm） | SI傳感器：350-1100 InGaAs傳感器：800-1800 Enhanced InGaAs傳感器：800-2700 | VIS-NIR：350-1600 UV-NIR：220-1350 |
激光功率范圍 | Si：100 μW-1 W（帶衰減片） InGaAs&UV：100 μW-5 mW HP：4 kW以下 | 10μW-100mW，內置濾光輪 HP：4 kW以下 |
刀口數 | 7 | — |
光束尺寸 | 帶透鏡高達25mm直徑（Si&UV版本） | |
束腰到透鏡距離 | 2.0~2.5米 小2米 | |
-掃描裝配附件
材質 | 鋁 |
透鏡焦距 | 300mm（在632.6nm時） |
透鏡直徑 | 25mm |
掃描次數 | 140 |
小步進尺寸 | 100μm |
掃描長度 | 280mm |
-整機
重量 | 2.5kg |
尺寸 | 100×173×415 mm |
托架 | M6或1/4“固定 |
機械調整 | 水平角：±1.5° 垂直角：±1.5° |
電纜長度 | 2.5m |
高功率光束分析儀訂購型號及描述：
LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams
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