如果需要尺寸只有幾毫米的反射鏡或長通濾波器，那么可以在單晶砷化鎵襯底上生產這種裝置。單晶砷化鎵的熱導率非常好，高達55w / (m k) ，由于其立方晶體結構，可以被切割成小的矩形晶片。德國BATOP公司的單晶砷化鎵基底產品主要分為：寬帶鍍金膜反射鏡，AlAs / GaAs布拉格反射鏡，900nm長通濾光片。

BATOP還可以在砷化鎵基底上提供生長AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層。

寬帶鍍金膜反射鏡：

如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡，那么鍍金的GaAs芯片是合適的。 作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /（m K）的良好導熱率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長的增加，反射率還會不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡，標準基板厚度為450μm

可用芯片面積：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據要求定制尺寸

鍍金膜反射鏡型號：

AlAs / GaAs布拉格反射鏡

如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡，那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m k的良好熱導率。方便切割成各種尺寸，海納光學提供標準基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡

可用芯片面積：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據要求定制尺寸

1030nm AlAs / GaAs布拉格反射鏡型號：

900nm長通濾波片

長通吸收濾光片是用來去除長波長激光信號中的短波長光(例如剩余的泵浦光)。

我們的長通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導體吸收層。這種晶圓材料可以根據客戶的需要切成長方形的小片。 短波長的光被濾光片吸收，然后轉換成熱量。為了去除熱量，必須使用適當的金屬安裝件如散熱器。BATOP提供標準基片厚度為625μm的未安裝長通濾波器。

可用芯片區域:

5.0 mm x 5.0 mm

4.0毫米 x4.0毫米

2.0 mm x 2.0 mm

900nm長通濾光片型號：

5.0 mm × 5.0 mm 過濾器用1 / 2"或1"銅散熱器，或定制尺寸

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

BATOP可在砷化鎵基底上提供生長 AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層，用于 GaAs 晶片的不同應用。某些應用需要快速時間響應器件，如光學探測器、飽和吸收器或光電導天線。我們提供低溫外延的生長設備，響應時間約為1 ps。BATOP提供的GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的砷化鎵。

參數：

GaAs（砷化鎵）晶圓直徑: 2"或4"

膜層厚度: 5μm