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美國TERASENSE進口 IMPATT 太赫茲源 太赫茲發生器+100mW高功率

IMPATT DIODE，產生太赫茲波，產生高功率太赫茲波

IMPATT太赫茲源，亞太赫茲源，太赫茲發生器 THz-IMPATT崩雪二極管——維爾克斯光電提供

Terasense太赫茲源的產品特點：

可根據客戶需求定制快速的太赫茲成像系統

TERASENSE公司提供高功率IMPATT DIODE太赫茲源

標準版輸出頻率100GHz，140GHz，300GHz，標準輸出功率是10mw-100mw。

窄線寬<1mhz，

使用壽命1000小時

可選配TTL調制模塊

調制上升沿時間1us

IMPATT DIODE太赫茲發生器，IMPATT亞太赫茲源

美國TERASENSE公司提供百毫瓦量級的IMPATT太赫茲源。亞太赫茲源IMPATT又名崩雪二極管，IMPATT二極管是一類非常高效的微波和亞太赫茲波發生器件，其工作頻率范圍約為80-300GHz，窄線寬<1mhz。主要的優點是他們具有很高的輸出功率和緊湊小巧的外形封裝。impatt具有非常窄的工作頻率帶寬，所以二極管內部尺寸必須根據響應的頻率來設計。

IMPATT二極管是“Impact ionization Avalanche Transit-Time二極管"的縮寫，翻譯過來就是碰撞雪崩（IMP）和渡越時間(ATT)二極管，代表一種高功率半導體二極管，通常用于高頻微波器件。IMPATT二極管早在1958年就由貝爾實驗室的W. Т. Read提出。目前，雪崩二極管已成為常用的固體微波功率源。在整個微波頻率范圍（約1千兆赫至10千兆赫）的接收機和某些發射機內可獲得足夠的連續波功率，該技術允許在幾GHz到幾百GHz的頻率范圍內產生亞太赫茲波。

IMPATT diode是一種具有負阻特性的周態微波二極管，其特性系由薄基片中的碰撞雪崩擊穿效應和載流子渡越時間效應結合產生，而基片通常由砷化鎵或硅制成。當將這種二極管適當地安裝在可調諧腔體或波導中時，由載流子渡越時間引起的負阻被用作振蕩器以產生微波振蕩。 與其他類型的二極管發電機相比，IMPATT的特點是高功率能力。

IMPATT二極管的特點：

- 大功率 100mW）

- 供電穩定

- 固定頻率

- 體積小

-

- 使用壽命長

IMPATT二極管的工作原理

IMPATT二極管具有和標準PN結類似的I-V特性（圖1a）。當電壓達到時，二極管開始正向導通，阻斷反向電流。但是，當電壓高于擊穿電平時，發生雪崩擊穿，電流反向流動。

在具有不同類型的半導體結構的IMPATT二極管中可以產生微波。但是，IMPATT二極管的工作原理便于以p + - n - i - n + - 二極管結構為例來說明（圖1b）。這里，雪崩倍增和載流子漂移的區域在空間上是分開的。電場強度發生在p + - n - 二極管結的區域（圖1e）。

電場在n區域急劇下降，在i區域幾乎保持不變。該區域在高反向電壓下耗盡。當反向電壓增加時，某一點的連接處的電場將超過擊穿的值。擊穿導致碰撞電離系數α達到高值。由于α強烈依賴于電場強度，所以碰撞電離區域的范圍很小。

雪崩增加了自由電子的數量，這個區域被稱為雪崩倍增區域。形成的空穴由結的內部電場攜帶到p +區域，并且到達i區域的電子在恒定電場中移動到n +區域（圖1c）。如果輕摻雜區域的電場強度高，則電子速度幾乎保持恒定。

發生等速電子運動的耗盡區域稱為漂移區。由于差分電子遷移率接近零，當電子移動時，體積電荷密度不會降低。

IMPATT太赫茲源電路

通過IMPATT二極管的電流應該受到一定的限制。為了實現這一點，維爾克斯光電代理的Terasense設計了一個電路，一個電源通過一個限流電阻驅動二極管，此外，射頻信號的直流隔離由射頻扼流圈完成。 IMPATT二極管應該集成在一個調諧電路中，通常是一個波導腔。 一旦施加電源電壓，該電路中就會出現振蕩。

TeraSense公司IMPATT太赫茲源技術參數：

TeraSense公司IMPATT雪崩二極管規格參數：