產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STN1HNK60封裝：SOT-223-3批次：21+數量：12000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：400mARdsOn-漏源導通電阻：8
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STN1HNK60 |
| 封裝： | SOT-223-3 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-223-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | 400 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 7 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | STN1HNK60 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 下降時間： | 25 ns |
| 上升時間： | 5 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 19 ns |
| 典型接通延遲時間： | ns |
| 單位重量： | 250 mg |
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