產品簡介
N溝道SiMOSFETSPD02N80C3,2A,Vds=800V,3針TO-252封裝通道類型N大連續漏極電流2A大漏源電壓800V大漏源電阻值2
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET SPD02N80C3, 2 A, Vds=800 V, 3針 TO-252封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 2 A |
| 大漏源電壓 | 800 V |
| 大漏源電阻值 | 2.7 Ω |
| 大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 42 W |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 典型輸入電容值@Vds | 290 pF @ 100 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm |
| 寬度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型關斷延遲時間 | 72 ns |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 2.41mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 25 ns |
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