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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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IRFP264 IRFP264PBF N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 38A/250V 晶體管 TO-247

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 84
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRFP264PBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他場(chǎng)效應(yīng)管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 16:35:26
  • 瀏覽次數(shù)：6
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-06-14
  • 最近登錄：2023-06-14
  • 聯(lián)系人：范釗偉
  • 電    話：15813706070
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETIRFP264PBF,38A,Vds=250V,3針TO-247AC封裝通道類型N大連續(xù)漏極電流38A大漏源電壓250V大漏源電阻值75mΩ小柵閾值電壓2V大柵源電壓±20V封裝類型TO-247AC安裝類型通孔晶體管配置單引腳數(shù)目3通道模式增強(qiáng)類別功率MOSFET大功率耗散280W典型接通延遲時(shí)間22ns長(zhǎng)度15

詳情介紹



N溝道 Si MOSFET IRFP264PBF, 38 A, Vds=250 V, 3針 TO-247AC封裝

通道類型N
大連續(xù)漏極電流38 A
大漏源電壓250 V
大漏源電阻值75 mΩ
小柵閾值電壓2V
大柵源電壓±20 V
封裝類型TO-247AC
安裝類型通孔
晶體管配置單
引腳數(shù)目3
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散280 W
典型接通延遲時(shí)間22 ns
長(zhǎng)度15.87mm
低工作溫度-55 °C
典型柵極電荷@Vgs210 nC @ 10 V
Board Level ComponentsY
晶體管材料Si
每片芯片元件數(shù)目1
寬度5.31mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間110 ns
高度20.7mm
高工作溫度+150 °C
典型輸入電容值@Vds5400 pF@ 25 V
尺寸

15.87 x 5.31 x 20.7mm

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