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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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創(chuàng)捷思 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF820PBF

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 38.5
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRF820PBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 16:50:06
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETIRF820PBF,2

詳情介紹



N溝道 Si MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3針 TO-220AB封裝

通道類型N
大連續(xù)漏極電流2.5 A
大漏源電壓500 V
大漏源電阻值3 Ω
小柵閾值電壓2V
大柵源電壓±20 V
封裝類型TO-220AB
安裝類型通孔
引腳數(shù)目3
晶體管配置單
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散50 W
高度9.01mm
高工作溫度+150 °C
Board Level ComponentsY
典型輸入電容值@Vds360 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間33 ns
寬度4.7mm
典型柵極電荷@Vgs24 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目1
低工作溫度-55 °C
典型接通延遲時(shí)間8 ns
晶體管材料Si
長(zhǎng)度10.41mm
尺寸10.41 x 4.7 x 9.01mm

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