產品簡介
P溝道MOSFEP2955G,12A,Vds=60V,3針TO-220封裝 通道類型P大連續漏極電流12A大漏源電壓60V大漏源電阻值196mΩ大柵閾值電壓4V大柵源電壓±20V封裝類型TO-220安裝類型通孔引腳數目3晶體管配置單通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散62
詳情介紹
P溝道 MOSFET NTP2955G, 12 A, Vds=60 V, 3針 TO-220封裝
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 12 A |
| 大漏源電壓 | 60 V |
| 大漏源電阻值 | 196 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 62.5 W |
| 晶體管材料 | Si |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 9.28mm |
| 長度 | 10.28mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 高度 | 9.28mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14 nC @ -10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.82mm |
| 典型輸入電容值@Vds | 507 pF @ -25 V |
| 典型關斷延遲時間 | 27 ns |
| 典型接通延遲時間 | 10 ns |
| Board Level Components | Y |
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