P溝道 Si MOSFET FDD6685, 11 A, Vds=30 V, 3針 TO-252封裝
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是優化的電源開關，可提高系統效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽柵極結構，可提供電荷平衡。 利用這一*技術，這些設備的 FOM（品質因素）顯著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。
MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 *的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 11 A |
| 大漏源電壓 | 30 V |
| 大漏源電阻值 | 30 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±25 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 大功率耗散 | 52 W |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 高度 | 2.39mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型接通延遲時間 | 17 ns |
| 典型關斷延遲時間 | 43 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 1715 pF @ -15 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 17 nC @ -5 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 6.73mm |
| 寬度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。