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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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創(chuàng)捷思 場(chǎng)效應(yīng)管 STP55NF06L

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 54
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：STP55NF06L
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他場(chǎng)效應(yīng)管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 19:26:51
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETSTP55NF06L,55A,Vds=60V,3針TO-220封裝通道類型N大連續(xù)漏極電流55A大漏源電壓60V大漏源電阻值18mΩ小柵閾值電壓1V大柵源電壓±16V封裝類型TO-220安裝類型通孔晶體管配置單引腳數(shù)目3通道模式增強(qiáng)類別功率MOSFET大功率耗散95W典型關(guān)斷延遲時(shí)間40ns寬度4

詳情介紹


N溝道 Si MOSFET STP55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3針 TO-220封裝

通道類型N
大連續(xù)漏極電流55 A
大漏源電壓60 V
大漏源電阻值18 mΩ
小柵閾值電壓1V
大柵源電壓±16 V
封裝類型TO-220
安裝類型通孔
晶體管配置單
引腳數(shù)目3
通道模式增強(qiáng)
類別功率 MOSFET
大功率耗散95 W
典型關(guān)斷延遲時(shí)間40 ns
寬度4.6mm
每片芯片元件數(shù)目1
晶體管材料Si
典型接通延遲時(shí)間20 ns
低工作溫度-55 °C
典型柵極電荷@Vgs27 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds1700 pF@ 25 V
長(zhǎng)度10.4mm
尺寸10.4 x 4.6 x 9.15mm
Board Level ComponentsY
高度9.15mm
系列STripFET II
高工作溫度+175 °C

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