產品簡介
N溝道MOSFET晶體管SUM110N06-3M4L-E3,110A,Vds=60V,3針TO-263封裝通道類型N大連續漏極電流110A大漏源電壓60V大漏源電阻值3mΩ小柵閾值電壓1V大柵源電壓±20V封裝類型TO-263安裝類型表面貼裝引腳數目3通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散3
詳情介紹
N溝道 MOSFET 晶體管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3針 TO-263封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 110 A |
| 大漏源電壓 | 60 V |
| 大漏源電阻值 | 3 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 3.7 W |
| 典型關斷延遲時間 | 110 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 12900 pF @ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 200 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時間 | 22 ns |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.65mm |
| 長度 | 10.41mm |
| 尺寸 | 10.41 x 9.65 x 4.83mm |
| 高度 | 4.83mm |
| Board Level Components | Y |
| 高工作溫度 | +150 °C |
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