產品簡介
N溝道SiMOSFETSTD25NF10LT4,25A,Vds=100V,3針DPAK封裝通道類型N大連續漏極電流25A大漏源電壓100V大漏源電阻值35mΩ大柵閾值電壓2
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3針 DPAK封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 25 A |
| 大漏源電壓 | 100 V |
| 大漏源電阻值 | 35 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±16 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 100 W |
| 高度 | 2.4mm |
| 系列 | STripFET II |
| 長度 | 6.6mm |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 典型關斷延遲時間 | 58 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| Board Level Components | Y |
| 典型輸入電容值@Vds | 1710 pF@ 25 V |
| 典型接通延遲時間 | 20 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6.2mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 38 nC @ 5 V |
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