N溝道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3針 TO-220AB封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 11 A |
| 大漏源電壓 | 500 V |
| 大漏源電阻值 | 520 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±30 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 170 W |
| 典型關斷延遲時間 | 32 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 1423 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| Board Level Components | Y |
| 典型接通延遲時間 | 14 ns |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
| 高度 | 9.01mm |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.41mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.7mm |
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