一比二光分路器由圖可見，外加負偏壓耗盡展的加寬(耗盡層寬的優點在石面有保柜生的電場方向與內建電場方向致，有利于 由上面的討論可知， 一比二光分路器當入射光子能量h小于禁帶寬度F效應也不會發生，印產生無電數成于隨屬爾小于精帶寬度E,時不論入射光有多強，光電即光頻 lt;的入射光是不能產生光電效應的， 將轉換為波長， 則人一he.這就是說，一比二光分路器只有波長入<人的入射光。才能使這種材料產生光生載流子，故人為產生光電效應的入射光的較大波長，又稱為截止波長，相應的后稱為截止頻率。

PLC光分路器 光分器 插片式光分路器 盒式光分路器 托盤式光分器 機架式光分器 微分路器

與同軸電纜傳輸系統一樣，光網絡系統也需要將光信號進行耦合、分支、分配，這就需要光分路器來實現。光分路器又稱分光器，是光纖鏈路中重要的無源器件之一，是具有多個輸入端和多個輸出端的光纖匯接器件，常用M×N來表示一個分路器有M個輸入端和N個輸出端。在光纖CATV系統中使用的光分路器一般都是1×2、1×3以及由它們組成的1×N光分路器。

1．光分路器的分光原理

光分路器按原理可以分為熔融拉錐型和平面波導型兩種，熔融拉錐型產品是將兩根或多根光纖進行側面熔接而成；平面波導型是微光學元件型產品，采用光刻技術，在介質或半導體基板上形成光波導，實現分支分配功能。這兩種型式的分光原理類似，它們通過改變光纖間的消逝場相互耦合（耦合度，耦合長度）以及改變光纖纖半徑來實現不同大小分支量，反之也可以將多路光信號合為一路信號叫做合成器。熔錐型光纖耦合器因制作方法簡單、價格便宜、容易與外部光纖連接成為一整體，PLC光分路器 光分器 插片式光分路器 盒式光分路器 托盤式光分器 機架式光分器 微分路器

與同軸電纜傳輸系統一樣，光網絡系統也需要將光信號進行耦合、分支、分配，這就需要光分路器來實現。光分路器又稱分光器，是光纖鏈路中重要的無源器件之一，是具有多個輸入端和多個輸出端的光纖匯接器件，常用M×N來表示一個分路器有M個輸入端和N個輸出端。在光纖CATV系統中使用的光分路器一般都是1×2、1×3以及由它們組成的1×N光分路器。

2．光分路器的常用技術指標（1） 插入損耗。

光分路器的插入損耗是指每一路輸出相對于輸入光損失的dB數，其數學表達式為：Ai=-10lg Pouti/Pin ，其中Ai是指第i個輸出口的插入損耗；Pouti是第i個輸出端口的光功率；Pin是輸入端的光功率值。

（2） 附加損耗。

附加損耗定義為所有輸出端口的光功率總和相對于輸入光功率損失的DB數。值得一提的是，對于光纖耦合器，附加損耗是體現器件制造工藝質量的指標，反映的是器件制作過程的固有損耗，這個損耗越小越好，是制作質量優劣的考核指標。而插入損耗則僅表示各個輸出端口的輸出功率狀況，不僅有固有損耗的因素，更考慮了分光比的影響。因此不同的光纖耦合器之間，插入損耗的差異并不能反映器件制作質量的優劣。對于1N單模標準型光分路器附加損耗如下表所示：

分路數 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16

附加損耗DB 0.2 0.3 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.2

（3） 分光比。

分光比定義為光分路器各輸出端口的輸出功率比值，在系統應用中，分光比的確是根據實際系統光節點所需的光功率的多少，確定合適的分光比（平均分配的除外），光分路器的分光比與傳輸光的波長有關，例如一個光分路在傳輸1.31 微米的光時兩個輸出端的分光比為50：50；在傳輸1.5μm的光時，則變為70：30（之所以出現這種情況，是因為光分路器都有一定的帶寬，即分光比基本不變時所傳輸光信號的頻帶寬度）。所以在訂做光分路器時一定要注明波長。

（4） 隔離度。

隔離度是指光分路器的某一光路對其他光路中的光信號的隔離能力。在以上各指標中，隔離度對于光分路器的意義更為重大，在實際系統應用中往往需要隔離度達到40dB以上的器件，否則將影響整個系統的性能。

另外光分路器的穩定性也是一個重要的指標，所謂穩定性是指在外界溫度變化，其它器件的工作狀態變化時，光分路器的分光比和其它性能指標都應基本保持不變，實際上光分路器的穩定性取決于生產廠家的工藝水平，不同廠家的產品，質量懸殊相當大。在實際應用中，本人也確實碰到很多質量低劣的光分路器，不僅性能指標劣化快，而且損壞率相當高，作于光纖干線的重要器件，在選購時一定加以注意，不能光看價格，工藝水平低的光分路價格肯定低。

此外，均勻性、回波損耗、方向性、PDL都在光分路器的性能指標中占據非常重要的位置。

對Ge材料，其人=1.60um,適用于長波長光電二極管:對Si材料，_-1.06um, 可用 于短波光電二極管。 不過Ge管與si管比較，暗電流較大，因此附加噪聲也較大，所以，長波長光電二極管多采用三元或四元半導體化合物作材料，如InGiaAs和InGaAsP等。利用光電效應可以制造出簡單的P-N結光電二極管。但是，這種光電二極管在P-N結中，由于有內建電場的作用，響應速度快。而在耗盡層以外產生的光電子和光空穴，由于沒有內建電場的加速作用，運動速度慢，因而響應速度低，且容易被復合，使光電轉換效率低。