C-V/I-V特性測試儀是為半導體C-V特性分析測試和I-V特性測試分析設計的C-V/I-V測試系統(tǒng)。

　　C-V/I-V特性測試儀具有較高的C-V測試精度，提供流線型C-V曲線和偏置溫度壓力程序，方便用戶使用，點擊鼠標就可測量C-V曲線，顯示所有C-V曲線繪圖和測試結(jié)果。密碼保護功能允許使用人員預設所有C-V測試結(jié)果和壓力測試周期。測試結(jié)果可保存起來用于后來分析。

　　C-V/I-V特性測試儀功能

　　提供Swept,Retrace或Pulsed模式，可以檢測C-V/I-V特性測試儀在不同情況下的性能。

　　Swept模式：測試襯底的摻雜，平帶電壓，閾值電壓，流動離子濃度等。“閃光"和“穩(wěn)定"功能可達到平衡反轉(zhuǎn)電容。

　　電導率測量：測量電導率和電容測量真實的器件電容值和耗盡區(qū)電導。

　　摻雜曲線：可把C-V曲線數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成“摻雜曲線"，這種摻雜曲線非常適合低摻雜離子注入監(jiān)測。

　　C-V/I-V特性測試儀規(guī)格參數(shù)

　　PN結(jié)摻雜分布：范圍1x10^13離子/cm^3到1x10^18離子/cm^3,深度0.01微米~100微米。

　　深度和摻雜范圍由零偏壓耗盡寬度,擊穿電壓和儀器電壓范圍決定。

　　典型值：1x10^15離子/cm^3,深度：1~17微米

　　1x10^16離子/cm^3,深度：0.33~2.5微米

　　精度：典型+/-2%

　　MOS摻雜分布：范圍2x10^14離子/cm^3到5x10^17離子/cm^3,深度0.01微米~10微米。

　　深度和摻雜范圍由擊穿電壓,氧化層擊穿和儀器電壓范圍決定。

　　典型值：1x10^15離子/cm^3,深度：0.01~5微米

　　1x10^16離子/cm^3,深度：0.01~2微米

　　精度：典型+/-5%

　　植入劑量計算： 范圍5x10^10離子/cm^2到5x10^12離子/cm^2,

　　精度：典型+/-8%

　　壽命： 范圍0.1微秒~0.1秒

　　典型值：100~1000微秒

　　精度：典型+/-8%

　　平帶電壓偏移： 范圍：0.005V~50V

　　典型值：0.05V~0.2V

　　精度：+/-2%

　　流動離子電荷濃度:范圍1x10^10離子/cm^2到1x10^13離子/cm^2

　　典型值：2x10^10離子/cm^2/eV

　　精度：典型+/-2%，+/-1x10^10離子/cm^2

　　界面陷阱密度：范圍2x10^9離子/cm^2/eV到1x10^12離子/cm^2/eV

　　典型值：3x10^10離子/cm^2

　　精度：典型+/-7%，+/-3x10^9離子/cm^2/eV

　　C-V特性 范圍：+/-100V,+/-10fA ~+/-1mA

　　精度：+/-1%

　　結(jié)二極管參數(shù)： 范圍：Rs0.1~1000歐姆，Is:1x10^-3 ~ 1x 10^-8安培, n:1.0~2.0

　　典型值：Rs 2歐姆， Is 1x10^-11安培, n:1.2

　　精度：+/-5%

　　氧化物擊穿場 范圍：0~20MV/cm

　　典型值：8MV/cm

　　精度：+/-5%.