技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | IXYS |
| 型號： | IXFN180N15P |
| 封裝： | MOSFET |
| 數(shù)量： | 500 |
| 制造商： | IXYS |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | Chassis Mount |
| 封裝 / 箱體： | SOT-227-4 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 150 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 150 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 11 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 680 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 9.6 mm |
| 長度： | 38.23 mm |
| 系列： | IXFN180N15 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 25.42 mm |
| 下降時間： | 36 ns |
| 上升時間： | 32 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 150 ns |
| 典型接通延遲時間： | 30 ns |
| 單位重量： | 30 g |
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