技術參數
| 品牌： | 安森美 |
| 型號： | FDG6301N |
| 數量： | 6000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-323-6 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 25 V |
| Id-連續漏極電流： | 220 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 300 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.1 mm |
| 長度： | 2 mm |
| 系列： | FDG6301N |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 1.25 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 0.2 S |
| 下降時間： | 4.5 ns |
| 上升時間： | 4.5 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 4 ns |
| 典型接通延遲時間： | 5 ns |
| 零件號別名： | FDG6301N_NL |
| 單位重量： | 28 mg |
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