技術參數
| 品牌： | 安森美 |
| 型號： | FDMS86200 |
| 數量： | 3000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DualCool-56-8 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 150 V |
| Id-連續漏極電流： | 52 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 15 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 33 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 104 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 長度： | 6 mm |
| 系列： | FDMS86200 |
| 晶體管類型： | N-Channel |
| 寬度： | 5 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 33 S |
| 下降時間： | 5.8 ns |
| 上升時間： | 7.9 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 27 ns |
| 典型接通延遲時間： | 13 ns |
| 單位重量： | 68.100 mg |
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