產品簡介
技術參數品牌：VISHAY(威世)型號：SI2333CDS-T1-GE3數量：3000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：12VId-連續漏極電流：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY(威世) |
| 型號： | SI2333CDS-T1-GE3 |
| 數量： | 3000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-23-3 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 12 V |
| Id-連續漏極電流： | 7.1 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 35 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 400 mV |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.45 mm |
| 長度： | 2.9 mm |
| 系列： | SI2 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.6 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 18.5 S |
| 下降時間： | 12 ns |
| 上升時間： | 35 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 45 ns |
| 典型接通延遲時間： | 13 ns |
| 零件號別名： | SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-GE3 |
| 單位重量： | 8 mg |
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