產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STGP15M65DF2數量：500制造商：STMicroelectronics產品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-220-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：650V集電極—射極飽和電壓：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STGP15M65DF2 |
| 數量： | 500 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 650 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.55 V |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 30 A |
| Pd-功率耗散： | 136 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| 系列： | STGP15M65DF2 |
| 集電極連續電流 Ic： | 30 A |
| 商標： | STMicroelectronics |
| 柵極—射極漏泄電流： | +/- 250 uA |
| 產品類型： | IGBT Transistors |
| 工廠包裝數量： | 1000 |
| 子類別： | IGBTs |
| 單位重量： | 2 g |
- 上一篇： RSD050N10TL 場效應管 ROHM
- 下一篇： XC7VX690T-2FFG1926I FPGA現場可編程邏
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。