技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | ST |
| 型號: | STY100NM60N |
| 批次: | 2018 |
| 數(shù)量: | 500 |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 技術(shù): | Si |
| 安裝風格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | Max247-3 |
| 通道數(shù)量: | 1 Channel |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 74 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 29 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 25 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 4 V |
| Pd-功率耗散: | 625 W |
| 配置: | Single |
| 商標名: | MDmesh |
| 系列: | STY100NM60N |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 商標: | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET |
| 工廠包裝數(shù)量: | 600 |
| 子類別: | MOSFETs |
| 單位重量: | 38 g |














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