產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI7113ADN-T1-GE3數量：87000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-1212-8晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：10
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7113ADN-T1-GE3 |
| 數量： | 87000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-1212-8 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 10.8 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 186 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.1 V |
| Qg-柵極電荷： | 5.65 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 27.8 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | Si7113ADN |
| 商標： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨導 - 最小值： | 8 S |
| 下降時間： | 1622 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 40 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 22 ns |
| 典型接通延遲時間： | 35 ns |
| 單位重量： | 283 mg |
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