產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：4N35M封裝：DIP-6批次：21+數量：30000制造商：ONSemiconductor產品種類：晶體管輸出光電耦合器RoHS：是封裝/箱體：PDIP-6輸出類型：NPNPhototransistor通道數量：1ChannelIf-正向電流：60mA集電極/發射極電壓：30V絕緣電壓：7500Vrms集電極/發射極飽和電壓：0
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | 4N35M |
| 封裝： | DIP-6 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 30000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 晶體管輸出光電耦合器 |
| RoHS： | 是 |
| 封裝 / 箱體： | PDIP-6 |
| 輸出類型： | NPN Phototransistor |
| 通道數量： | 1 Channel |
| If - 正向電流： | 60 mA |
| 集電極/發射極電壓： | 30 V |
| 絕緣電壓： | 7500 Vrms |
| 集電極/發射極飽和電壓： | 0.3 V |
| Vf - 正向電壓： | 1.5 V |
| Vr - 反向電壓 ： | 6 V |
| Pd-功率耗散： | 250 mW |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 100 C |
| 系列： | 4N35M |
| 配置： | 1 Channel |
| 高度： | 5.08 mm |
| 長度： | 8.89 mm |
| 寬度： | 6.6 mm |
| 集電極—射極擊穿電壓： | 100 V |
| 零件號別名： | 4N35M_NL |
| 單位重量： | 860 mg |
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