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上海金呈電子有限公司

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IPB180N04S4-01 集成電路、處理器、微控制器 Infineon/英飛凌 封裝PG-TO263-7 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:￥ 18
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：IPB180N04S4-01
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-16 14:34:37
  • 瀏覽次數(shù)：5
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：958條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-16
  • 最近登錄：2023-06-16
  • 聯(lián)系人：曾曾
  • 電    話：13913249452
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon/英飛凌型號：IPB180N04S4-01封裝：PG-TO263-7批次：21+數(shù)量：1000制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-7通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續(xù)漏極電流：180ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：Infineon/英飛凌
型號：IPB180N04S4-01
封裝：PG-TO263-7
批次：21+
數(shù)量：1000
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-263-7
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：40 V
Id-連續(xù)漏極電流：180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
Qg-柵極電荷：135 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：188 W
配置：Single
資格：AEC-Q101
高度：4.4 mm
長度：10 mm
系列：OptiMOS-T2
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：9.25 mm
下降時間：41 ns
上升時間：24 ns
典型關(guān)閉延遲時間：38 ns
典型接通延遲時間：35 ns
零件號別名：IPB180N04S401ATMA1 SP000705694 IPB18N4S41XT IPB180N04S401ATMA1
單位重量：1.600 g
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