產品簡介
技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SIRA12DP-T1-GE3批號：2105+封裝：DFN8數量：21600QQ：制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET類型：N通道25°C時電流-連續漏極(Id)：25A（Tc）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | SIRA12DP-T1-GE3 |
| 批號： | 2105+ |
| 封裝： | DFN8 |
| 數量： | 21600 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 25A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 毫歐 @ 10A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | @ 250µA |
| Vgs（值）： | +20V，-16V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），31W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® SO-8 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 45 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 2070 pF @ 15 V |
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