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氮化鋁陶瓷 光譜儀ICP 2000 主要測鐵硅鈣等 讓質量看的見

產品二維碼
參  考  價:¥ 2588
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:Plasma 2000
  • 品牌:
  • 產品類別:光譜儀
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-06-24 13:30:23
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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:848條
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產品簡介

一、ICP(Plasma2000)電感耦合等離子體原子發射光譜儀  可廣泛適用于冶金、地質、材料、環境、食品、醫藥、石油、化工、生物、水質等各領域的元素分析

詳情介紹

  一、ICP(Plasma 2000)電感耦合等離子體原子發射光譜儀

  可廣泛適用于冶金、地質、材料、環境、食品、醫藥、石油、化工、生物、水質等各領域的元素分析。

  (ICP-AES)技術由于其存在檢出限低、測量的動態范圍寬、準確度好、基體效應小、精密度高等一系列優點,是近年來發展迅速、應用極為廣泛的一種光譜測試技術,Plasma2000具有波長范圍寬、分辨率高、測試速度快、穩定性好等特點,可用于地質、冶金、稀土及磁材料、環境、醫藥衛生、生物、海洋、石油、化工新型材料、農業、食品、商檢、水質等各領域及學科的樣品分析。

  

  二、儀器特點:

  中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構,徑向觀測,具有穩健的檢測能力。

  高效穩定的自激式固態射頻發生器,體積小巧,匹配速度快,確保儀器的高精度運行及優異的長期穩定性。

  高速面陣CCD采集技術,單次曝光獲取全部譜線信息,真正實現“全譜直讀"。

  功能*的軟件系統,簡化分析方法的開發過程,為用戶量身打造簡潔、舒適的操作體驗。

  三、技術參數:

  1、光學系統參數:

  光柵:中階梯光柵,52.67g/mm,閃耀角63.5°

  棱鏡:超純SiO2材料

  分析譜線范圍:165nm-900nm

  焦距:400mm

  分辨率: ≤0.008nm@200nm

  雜散光:10000μg/ml的Ca溶液在As189.042nm處的等效背景濃度<2ug/ml

  光室恒溫:高精度恒溫38℃±0.1℃

  光室充氣:多點充氣技術,小流量吹掃1L/min,大流量吹掃4L/min

  2、進樣系統技術參數:

  儀器配備系列經過優化的進樣系統,可用于有機溶劑、高鹽/復雜基體樣品、含*等樣品的測試。

  使用可拆卸式或一體式炬管,易于維護,轉換快速,使用成本低。

  使用質量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量,流量連續可調,保障測試性能長期穩定。

  4通道12滾輪蠕動泵,泵速連續可調,確保樣品導入穩定性,具有快速清洗功能。

  炬管方向:垂直放置

  炬管線圈:3匝

  炬管:一體式炬管,中心管可選0.8mm、1.5mm、2.0mm(石英或陶瓷)。

  霧化器:同心霧化器或平行通道霧化器,外徑6mm,可選標準霧化器、高鹽霧化器、*霧化器.

  霧室:旋流霧化室,可選配雙筒型霧化室和耐HF霧化室。

  蠕動泵:4通道12滾輪,轉速連續可調。

  氬氣消耗量:12L/min~18L/min

  冷卻氣:0.00L/min~20.00L/min,精度0.01L/min,高精度質量流量控制器

  輔助氣:0.00L/min~2.00L/min,精度0.01L/min,高精度質量流量控制器

  載氣:0.00L/min~2.00L/min,精度0.01L/min,高精度質量流量控制器

  3、RF發生器技術參數

  全固態射頻發生器,體積小、效率高,全自動負載匹配,速度快、精度高,能適應各種復雜基體樣品及揮發性有機溶劑的測試,具有優異的長期穩定性。

  冷錐消除尾焰技術,大程度地降低自吸效應和電離干擾,從而獲得更寬的動態線性范圍和更低的背景,拓寬儀器檢測范圍,保證準確的測量結果。

  垂直炬管的設計,具有更好的樣品耐受性,減少了清潔需求,降低了備用炬管的消耗。

  簡潔的炬管安裝定位設計,快速定位,精x確的位置重現。

  具有低功率待機模式,待機時降低輸出功率,減小氣體流量,僅維持等離子體運行,節約使用成本。

  實時監控儀器運行參數,高性能CAN工業現場總線,保障通訊高效可靠

  1、輸出功率:700W-1600W連續1W可調

  2、功率穩定性:≤0.1%

  3、震蕩頻率:27.12MHz

  4、頻率穩定性:≤0.01%

  5、匹配方式:自動匹配

  6、電磁場泄露輻射強度 lt;0.5V/m

  4、檢測器技術參數:

  大面積背照式CCD檢測器, 全譜段響應,高紫外量子化效率,抗飽和溢出,具有極寬的動態范圍和極快的信號處理速度。

  一次曝光,完成全譜光譜信號的采集讀取,從而獲得更為快速、準確的分析結果。

  同類產品中大靶面尺寸,百x萬x級像素,單像素面積24μm X 24μm,三級半導體制冷,制冷溫度-35℃,具有極低的噪聲和更好的穩定性。

  檢測器:背照式CCD檢測器,抗飽和溢出

  像面尺寸:25.4mm x 25.4mm

  CCD像素:1024x 1024

  單像素面積:24μm x 24μm

  波長響應范圍:120nm~1100nm

  量子化效率:無鍍膜,量子化效率可達75%以上

  檢測器冷卻:高效半導體制冷,制冷溫度<-35℃

  分析性能:

  觀測方式:垂直火炬

  檢出限:亞ppb-ppb

  短期穩定性:RSD≤0.5%(500LOD)

  長期穩定性:RSD≤1.0%(2h,500LOD

  四、ICP使用注意事項:

  1.開關氣氬氣原則

  在啟動光譜儀前1小時打開氬氣瓶,分別調節兩瓶氣體使分壓表壓力到0.60-0.65Mpa,吹掃光室和 CID檢測器;在熄火后,不要馬上關掉氬氣,必須繼續開氣吹掃CID 20分鐘后才關掉氬氣瓶。

  2.定期清洗炬管

  一般在炬管變臟后(表面變黑)時須拆卸下來,用 8-10% 的稀硝酸浸泡2-3小時,然后用去離子水沖洗干凈,涼干裝上。

  3.定期更換冷卻循環水:

  經常開機情況下,一般半年至一年需要對冷卻循環水進行更換。

  4.樣品測定完成后,先用3-5%的稀硝酸沖洗2-3分鐘,然后再用去離子水沖洗2-3分種后熄滅等離子體,松開泵夾。

  5. 點火分析前確保驅氣時間大于1小時,以防止CID檢測器結霜,造成CID檢測器損壞。

  6. 定量測定時須在光室溫度達到并穩定在38±0.2℃。CID溫度小于-40℃時,點火15分鐘后測定。

  7.檢查霧化器,看是否有堵塞現象,及時清潔霧化器、中心管。

  8. 定期更換泵管。

  9. 計算機專用。

  10. 未點火期間保持泵夾松弛。

  11.樣品必須清亮透明,否則容易堵塞霧化器;萬一霧化器堵塞,絕不能用金屬絲清理異物。

  12. 遇停氣熄火,應立即更換上供氣,讓CID在常溫(20攝氏度左右)狀態下吹掃2-4小時后,方可重新點火分析測定。切不能,更換上新氣源后立即馬上點火分析。

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