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格芯微電子（深圳）有限公司

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NTD2955T4G 場效應(yīng)管 ON/安森美 封裝DO214AAS 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：NTD2955T4G
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：整流二極管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-26 07:55:54
  • 瀏覽次數(shù)：6
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：968條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-06-25
  • 最近登錄：2023-06-25
  • 聯(lián)系人：朱先生
  • 電    話：13310811166

產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號(hào)：NTD2955T4G
封裝：DO214AAS
批次：21+
數(shù)量：7000
制造商：onsemi
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-252-4
晶體管極性：P-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：2 V
Qg-柵極電荷：15 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：55 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降時(shí)間：48 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值：8 S
高度： mm
長度： mm
上升時(shí)間：45 ns
系列：NTD2955
晶體管類型：MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
典型接通延遲時(shí)間： mm
寬度：340 mg
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