技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | Infineon/英飛凌 |
| 型號(hào): | IPD60R400CE |
| 批號(hào): | 2017+ |
| 封裝: | TO-252 |
| 數(shù)量: | 9000 |
| QQ: | |
| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| 技術(shù): | Si |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
| 封裝: | Reel |
| 高度: | mm |
| 長度: | mm |
| 寬度: | mm |
| 商標(biāo): | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET |
| 子類別: | MOSFETs |




所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關(guān)。