技術參數(shù)
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMN10H099SK3-13 |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數(shù)量： | 5000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 含鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 23 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-100V-17A（Tc）-34W（Tc）-TO-252 |
| 數(shù)據(jù)列表： | DMN10H099SK3; |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | DMN10H099SK3-13DITR |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 100V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 17A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 80 毫歐 @ ，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1172pF @ 50V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 34W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | TO-252 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關。