技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | IRF530PBF |
| 封裝： | VISHAY |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 8850 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220AB-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 14 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 160 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 26 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 88 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 24 ns |
| 上升時間： | 34 ns |
| 系列： | IRF |
| 晶體管類型： | 23 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 10 ns |
| 典型接通延遲時間： | IRF530PBF-BE3 IRF520SPBF |
| 零件號別名： | 2 g |
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